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锑化物短波红外光电探测器噪声机理分析及测试

郝宏玥，中国科学院半导体研究所副研究员。2018年于本所获博士学位，曾赴瑞典查尔姆斯理工大学访学，并在德国于利希研究中心从事博士后研究。主要研究方向为锑化物红外探测器与微纳加工技术。近年来在宽谱段探测结构与低噪声芯片等方面取得系列成果，已发表学术论文数十篇，获授权国家发明专利五项。参与的项目于2016年在全国率先攻克高性能长波及中长双色红外焦平面成像芯片关键技术。受邀担任科技部重点专项和国家自然科学基金评审专家。